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SIA442DJ-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIA442DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):32 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):380pF @ 60V

功率 - 最大值:19W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6

供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称:SIA442DJ-T1-GE3TR

供应商SIA442DJ-T1-GE3
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SIA442DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 32mOhm@10V 12A N-Ch G-IV1+:¥3.65
10+:¥2.87
100+:¥2.1799
500+:¥1.8599
1000+:¥1.72
3000+:¥1.72
6000+:¥1.58
9000+:¥1.57
24000+:¥1.511+:¥1.89
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1000+:¥1.72
3000+:¥1.72
6000+:¥1.58
9000+:¥1.57
24000+:¥1.51