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SIA421DJ-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
SIA421DJ-T1-GE3的规格信息
SIA421DJ-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:15 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SIA421DJ-GE3

供应商SIA421DJ-T1-GE3
SIA421DJ-T1-GE3的供应商,可免费索样
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深圳市坤融电子有限公司SIA421DJ-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市宸远科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3 MOS(场效应管)深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
19068068798，15338712396		彭先生，许娜Email:3004325620@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiA421DJ-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
万三科技（深圳）有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
18188642307		王小康skype:18188642307Email:leo@wansan.net.cn询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市大源实业科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
15302619915，13762584085		李小姐Email:dysykj005@foxmail.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIA421DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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SIA421DJ-T1-GE3.场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70VISHAYVISHAY的LOGO200.31 Kbytes共9页SIA421DJ-T1-GE3.的PDF下载地址无
SIA421DJ-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIA421DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
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1000+:￥3.063000+:￥2.31+:￥3.24
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIA421DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V3000+:￥2.96
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1000+:￥3.063000+:￥2.3
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIA421DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
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30000+:￥2.62
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIA421DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6$1.05000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SIA421DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
15000+:￥2.7
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75000+:￥2.531+:￥5.8599
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA421DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V3000+:￥2.96
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6000+:￥2.87
9000+:￥2.79
24000+:￥2.71
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA421DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-701:¥7.7631
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIA421DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V3000+:￥2.96
6000+:￥2.8
15000+:￥2.7
30000+:￥2.62
75000+:￥2.531+:￥5.8599
10+:￥4.7
100+:￥3.62
500+:￥3.2
1000+:￥3.12
3000+:￥2.98
6000+:￥2.87
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立创商城		SIA421DJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：P沟道1+:￥9.18
10+:￥8.94
30+:￥7.03
100+:￥6.9
SIA421DJ-T1-GE3的相关型号
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