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SIA445EDJ-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
SIA445EDJ-T1-GE3的规格信息
SIA445EDJ-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:16.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:48 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:29 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SIA445EDJ-GE3

供应商SIA445EDJ-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiA445EDJ-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiA445EDJ-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市芯奕科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市星宇佳科技有限公司SIA445EDJ-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
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SIA445EDJ-T1-GE3MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO254.54 Kbytes共9页SIA445EDJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA445EDJ-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO254.8 Kbytes共9页SIA445EDJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA445EDJ-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：16.5mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：P沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO232.44 Kbytes共9页SIA445EDJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA445EDJ-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIA445EDJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III3000+:￥1.6899
6000+:￥1.57
15000+:￥1.5199
30000+:￥1.46
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150000+:￥1.41+:￥3.65
10+:￥2.87
100+:￥2.1799
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1000+:￥1.72
3000+:￥1.72
6000+:￥1.58
9000+:￥1.57
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIA445EDJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III3000+:￥1.6899
6000+:￥1.57
15000+:￥1.5199
30000+:￥1.46
75000+:￥1.43
150000+:￥1.4
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIA445EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6$0.67000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA445EDJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III3000+:￥1.6899
6000+:￥1.57
15000+:￥1.5199
30000+:￥1.46
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150000+:￥1.41+:￥3.65
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500+:￥1.8599
1000+:￥1.72
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6000+:￥1.58
9000+:￥1.57
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA445EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-701:¥4.9155
10:¥3.9776
100:¥3.0171
500:¥2.486
3,000:¥2.486
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIA445EDJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III3000+:￥1.6899
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIA445EDJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：16.5mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：P沟道1+:￥5.77
10+:￥5.63
30+:￥4.42
100+:￥4.34
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