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SIA415DJ-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SIA415DJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

特色产品:Power MOSFETs in PowerPAK® SC-70 Package

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 5.6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):47nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1250pF @ 10V

功率 - 最大值:19W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® SC-70-6

供应商器件封装:PowerPAK® SC-70-6 单

其它名称:SIA415DJ-T1-GE3TRSIA415DJT1GE3

供应商SIA415DJ-T1-GE3
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SIA415DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V3000+:¥2.6501
6000+:¥2.51
15000+:¥2.42
30000+:¥2.3499
75000+:¥2.271+:¥5.22
10+:¥4.22
100+:¥3.24
500+:¥2.87
1000+:¥2.8
3000+:¥2.6701
6000+:¥2.57
9000+:¥2.51
24000+:¥2.421+:¥2.9
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SIA415DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V3000+:¥2.6501
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SIA415DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V3000+:¥2.6501
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SIA415DJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:35mΩ @ 5.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:P沟道1+:¥7.43
10+:¥7.24
30+:¥5.69
100+:¥5.59