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SI2325DS-T1-GE3 /Si2325DS Series 150 V 1.2 Ohm SMT P-Channel MOSFET - SOT-23-3 (TO-236)
SI2325DS-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：530mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：510pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：750mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：1.2 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23-3

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：150V

连续漏极电流ID：530mA

漏源极导通电阻RDS(ON)：1.2Ohms

无铅情况/RoHs：否

供应商SI2325DS-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI2325DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市莱杰信科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区102栋西座619/香港新界中环工業大廈112-115號0755-28183929
18207603663,18718561290		吴小姐，曹先生Email:320966349@qq.com询价
深圳市骏凯诚科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
13652405995		朱小姐Email:szjkc618@163.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2325DS-T1-GE3世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
集好芯城SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2325DS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312		朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613		郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2325DS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
13926529829，17318082080		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2325DS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司Si2325DS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司Si2325DS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2325DS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
SI2325DS-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI2325DS-T1-GE3P-Channel 150-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO197.67 Kbytes共9页SI2325DS-T1-GE3的PDF下载地址无
SI2325DS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2325DS-T1-GE3Siliconix / Vishay150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V+3000:$0.83
+6000:$0.79
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2325DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V1+:￥7.64
10+:￥6.72
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25+:￥7.11+:￥3.77
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.4076
14,999 : $0.3885
29,999 : $0.3841
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2325DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsP-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET3,000 : $0.3088
12,000 : $0.2745
27,000 : $0.2059
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SI2325DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesUnidentified3,000 : $0.363
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3$1.05000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2325DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V1+:￥7.64
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-236,000 : $0.3857
3,000 : $0.406
元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		SI2325DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V1+:￥7.64
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2325DS-T1-GE3Vishay SiliconixP CH MOSFET -150V 690mA TO-236
RoHS : Compliant		1 : $7.63
10 : $6.72
25 : $6.07
100 : $5.31
250 : $4.66
500 : $4.13
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SI2325DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V1+:￥7.64
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元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI2325DS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi2325DS Series 150 V 1.2 Ohm SMT P-Channel MOSFET - SOT-23-3 (TO-236)3,000 : $0.4278
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2325DS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -150V Vds 20V Vgs SOT-231:¥7.7631
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2325DS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 150V 0.69A 1.25W 1.2ohm @ 10V1+:￥7.64
10+:￥6.72
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元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI2325DS-T1-GE3Vishay Intertechnologies150-V (D-S) MOSFET$0.3767
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立创商城		SI2325DS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：530mA 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：P沟道1+:￥4.53
10+:￥3.4
30+:￥3.19
100+:￥2.9003
500+:￥2.813
1000+:￥2.7645
SI2325DS-T1-GE3的相关型号
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