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SI2324DS-T1-BE3 /MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
SI2324DS-T1-BE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesTrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.6A (Ta), 2.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs234mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190 pF @ 50 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商SI2324DS-T1-BE3
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