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TK110A65Z,S4X /MOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS
TK110A65Z,S4X的规格信息
TK110A65Z,S4X的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesDTMOSVI

PackageTube

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)650 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1.02mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V

Vgs (Max)±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2250 pF @ 300 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)45W (Tc)

Operating Temperature150°C

Mounting TypeThrough Hole

Supplier Device PackageTO-220SIS

Package / CaseTO-220-3 Full Pack

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TK110A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 650V 24A TO220SIS$4.43000