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SISB46DN-T1-GE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SISB46DN-T1-GE3的规格信息
SISB46DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:34 A

Rds On-漏源导通电阻:11.71 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:- 16 V, 20 V

Qg-栅极电荷:22 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:23 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:52 S

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:56 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:16 ns

供应商SISB46DN-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SISB46DN-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SISB46DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SISB46DN-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市斌腾达科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiSB46DN-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SISB46DN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
万三科技（深圳）有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
18818598465		王俊杰Email:darren@wansan.net.cn询价
深圳市惊羽科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
深圳市惊羽科技有限公司SISB46DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
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上海山峻电子有限公司SISB46DN-T1-GE3上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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SISB46DN-T1-GE3MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO597.33 Kbytes共13页SISB46DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISB46DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO591.91 Kbytes共13页SISB46DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISB46DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：11.71mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：23W 类型：双N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO596.20 Kbytes共13页SISB46DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISB46DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SISB46DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8$0.93000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISB46DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥7.9891
10:¥7.0512
100:¥5.4805
500:¥4.1019
1,000:¥3.3222
3,000:¥2.938
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SISB46DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：34A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：11.71mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：23W 类型：双N沟道1+:￥6.26
10+:￥4.62
30+:￥4.32
100+:￥4.02
500+:￥3.88
1000+:￥3.82
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