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SIS890DN-T1-GE3 /MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3的规格信息
SIS890DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:30 A

Rds On-漏源导通电阻:19.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:29 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:25 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:16 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SIS890DN-GE3

供应商SIS890DN-T1-GE3
SIS890DN-T1-GE3的供应商,可免费索样
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深圳市威雅利发展有限公司SIS890DN-T1-GE3华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SIS890DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市德州众泰科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIS890DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SIS890DN-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIS890DN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SIS890DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
SIS890DN-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SIS890DN-T1-GE3MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO562.80 Kbytes共13页SIS890DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS890DN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO559.29 Kbytes共13页SIS890DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS890DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.7W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO560.10 Kbytes共13页SIS890DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SIS890DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIS890DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET3000+:￥4.12
6000+:￥3.92
15000+:￥3.77
30000+:￥3.65
75000+:￥3.541+:￥8.17
10+:￥6.55
100+:￥5.05
500+:￥4.46
1000+:￥4.36
3000+:￥4.17
6000+:￥4.0101
9000+:￥3.9
24000+:￥3.82013000+:￥3.721+:￥4.53
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SIS890DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET3000+:￥4.12
6000+:￥3.92
15000+:￥3.77
30000+:￥3.65
75000+:￥3.541+:￥8.17
10+:￥6.55
100+:￥5.05
500+:￥4.46
1000+:￥4.36
3000+:￥4.17
6000+:￥4.0101
9000+:￥3.9
24000+:￥3.82013000+:￥3.72
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIS890DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET3000+:￥4.12
6000+:￥3.92
15000+:￥3.77
30000+:￥3.65
75000+:￥3.54
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIS890DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8$1.47000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIS890DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET3000+:￥4.12
6000+:￥3.92
15000+:￥3.77
30000+:￥3.65
75000+:￥3.541+:￥8.17
10+:￥6.55
100+:￥5.05
500+:￥4.46
1000+:￥4.36
3000+:￥4.17
6000+:￥4.0101
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24000+:￥3.8201
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIS890DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥10.8367
10:¥8.9157
100:¥6.8817
500:¥5.9212
3,000:¥5.9212
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIS890DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET3000+:￥4.12
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75000+:￥3.541+:￥8.17
10+:￥6.55
100+:￥5.05
500+:￥4.46
1000+:￥4.36
3000+:￥4.17
6000+:￥4.0101
9000+:￥3.9
24000+:￥3.82013000+:￥3.721+:￥4.531+:￥3.89
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		SIS890DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：23.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.7W 类型：N沟道1+:￥6.14
10+:￥4.53
30+:￥4.24
100+:￥3.94
500+:￥3.81
1000+:￥3.74
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