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SISA01DN-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA01DN-T1-GE3的规格信息
SISA01DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:4.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V, - 20 V

Qg-栅极电荷:56 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:39 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SISA01DN-T1-GE3
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