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SIS890ADN-T1-GE3 /MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
SIS890ADN-T1-GE3的规格信息
SIS890ADN-T1-GE3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta), 24.7A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330 pF @ 50 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)3.6W (Ta), 39W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeSurface Mount

Supplier Device PackagePowerPAK® 1212-8

Package / CasePowerPAK® 1212-8

供应商SIS890ADN-T1-GE3
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