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SISA12DN-T1-GE3 /Vishay Siliconix/分立半导体产品
SISA12DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:TrenchFET®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2070pF @ 15V

功率 - 最大值:28W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK® 1212-8

供应商器件封装:PowerPAK® 1212-8

其它名称:SISA12DN-T1-GE3TR

供应商SISA12DN-T1-GE3
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SISA12DN-T1-GE3Semiconcuctor,Mosfet;TrenchFET;N-Channel;30V;25A;4.3mohm @ 10V;PowerPAK 1212-8Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO587.18 Kbytes共13页SISA12DN-T1-GE3的PDF下载地址
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SISA12DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:¥5.32
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