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SISA18ADN-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA18ADN-T1-GE3的规格信息
SISA18ADN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:38.3 A

Rds On-漏源导通电阻:6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:21.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:54 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:10 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:15 ns

供应商SISA18ADN-T1-GE3
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深圳市芯幂科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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集好芯城SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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芯莱德电子（香港）有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiSA18ADN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市辰芯伟业科技有限公司SiSA18ADN-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳和润天下电子科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市赛美科科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市毅创腾电子科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市斌腾达科技有限公司SISA18ADN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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SISA18ADN-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO75.45 Kbytes共5页SISA18ADN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISA18ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO560.10 Kbytes共13页SISA18ADN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISA18ADN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19.8W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO574.10 Kbytes共13页SISA18ADN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISA18ADN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
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Arrow(艾睿)		SISA18ADN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.83
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SISA18ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8$0.67000
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SISA18ADN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.83
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISA18ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥5.0737
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISA18ADN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品1+:￥3.83
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1000+:￥1.57
3000+:￥1.51
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立创商城		SISA18ADN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38.3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：7.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19.8W(Tc) 类型：N沟道1+:￥3.83
10+:￥3.74
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100+:￥3.61
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