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SIS782DN-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS782DN-T1-GE3的规格信息
SIS782DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:30.5 nC

最小工作温度:- 50 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:41 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:43 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:SIS782DN-GE3

供应商SIS782DN-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIS782DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIS782DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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Avnet Express		SIS782DN-T1-GE3Vishay SiliconixN-CH POWERPAK1212 COPPER 30V 9.5MOHM@10V - Tape and Reel3,000 : $0.2355
14,999 : $0.2217
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Digi-Key 得捷电子		SIS782DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8$0.67000
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Mouser 贸泽电子		SIS782DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥4.9155
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100:¥3.0171
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3,000:¥2.486
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立创商城		SIS782DN-T1-GE3VISHAY(威世)预售晶体管1+:￥5.44
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