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SIS862DN-T1-GE3 /MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SIS862DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:32 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:60 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

供应商SIS862DN-T1-GE3
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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集好芯城SIS862DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市辉华拓展电子有限公司SIS862DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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”13725596657“17503034873
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深圳市宇浩扬科技有限公司SIS862DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市惊羽科技有限公司SIS862DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
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SIS862DN-T1-GE360V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IVSiliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO559.16 Kbytes共13页SIS862DN-T1-GE3的PDF下载地址
SIS862DN-T1-GE3的全球分销商及价格
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SIS862DN-T1-GE3Siliconix / Vishay60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV+1:$0.96
+6000:$0.92
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SIS862DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV3000+:¥3.46
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Digi-Key 得捷电子
SIS862DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8$1.23000
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Digi-Key 得捷电子
SIS862DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV3000+:¥3.46
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Mouser 贸泽电子
SIS862DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥9.0626
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SIS862DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 60V 8.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV3000+:¥3.46
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