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SIS778DN-T1-GE3 /
SIS778DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压30 V

闸/源击穿电压20 V

漏极连续电流35 A

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.004 Ohms

配置Single

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体PowerPAK 1212-8

封装Reel

下降时间9 ns

正向跨导 gFS(最大值/最小值)60 S

栅极电荷 Qg27.5 nC

功率耗散52 Watts

上升时间12 ns

典型关闭延迟时间20 ns

零件号别名SIS778DN-GE3

供应商SIS778DN-T1-GE3
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深圳市天卓伟业电子有限公司SIS778DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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