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SISA72DN-T1-GE3 /MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA72DN-T1-GE3的规格信息
SISA72DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:60 A

Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:41.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:70 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:10 ns

供应商SISA72DN-T1-GE3
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集好芯城SISA72DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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深圳市惊羽科技有限公司SISA72DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室实-单-专-线----135-7521-2775
135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回		彭小姐Email:1138536269@qq.com询价
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SISA72DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO640.82 Kbytes共13页SISA72DN-T1-GE3的PDF下载地址无
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Mouser 贸泽电子		SISA72DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥2.26
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立创商城		SISA72DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：3.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W(Tc) 类型：N沟道1+:￥2.38
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