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SISA04DN-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA04DN-T1-GE3的规格信息
SISA04DN-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:1.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:77 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:105 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:17 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:24 ns

零件号别名:SISA04DN-GE3

供应商SISA04DN-T1-GE3
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SISA04DN-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市坤融电子有限公司SiSA04DN-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
集好芯城SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiSA04DN-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SISA04DN-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
13332931905		小柯Email:2851989182@qq.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司SISA04DN-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
SISA04DN-T1-GE3及相关型号的PDF资料
型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号
SISA04DN-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO569.73 Kbytes共13页SISA04DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISA04DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO569.17 Kbytes共13页SISA04DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISA04DN-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.7W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO574.20 Kbytes共13页SISA04DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISA04DN-T1-GE3Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK 1212-8Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO569.17 Kbytes共13页SISA04DN-T1-GE3的PDF下载地址无
SISA04DN-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SISA04DN-T1-GE3Siliconix / VishaySemiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK 1212-8+3000:$0.77
+150000:$0.75
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SISA04DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.46
10+:￥8.3501
25+:￥7.5399
100+:￥6.6
250+:￥5.79
500+:￥5.13
1000+:￥4.061+:￥7.25
10+:￥5.8
100+:￥4.49
500+:￥3.97
1000+:￥3.88
3000+:￥3.7
6000+:￥3.56
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24000+:￥3.361+:￥8.85
10+:￥7.81
25+:￥7.0650+:￥11.26
500+:￥10.3
1000+:￥9.46
2000+:￥8.821+:￥4.02
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SISA04DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8$1.31000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SISA04DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.46
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25+:￥7.5399
100+:￥6.6
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		SISA04DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.46
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISA04DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥9.605
10:¥7.91
100:¥6.1133
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3,000:¥4.1471
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SISA04DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.46
10+:￥8.3501
25+:￥7.5399
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RS(欧时)		SISA04DN-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV1+:￥9.46
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1000+:￥4.061+:￥7.25
10+:￥5.8
100+:￥4.49
500+:￥3.97
1000+:￥3.88
3000+:￥3.7
6000+:￥3.56
9000+:￥3.47
24000+:￥3.361+:￥8.85
10+:￥7.81
25+:￥7.0650+:￥11.26
500+:￥10.3
1000+:￥9.46
2000+:￥8.82
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立创商城		SISA04DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：2.15mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.7W 类型：N沟道1+:￥6.86
10+:￥6.68
30+:￥6.56
100+:￥6.45
SISA04DN-T1-GE3的相关型号
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