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SISA96DN-T1-GE3 /MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
SISA96DN-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:7.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V

Qg-栅极电荷:31 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:26.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIS

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:70 S

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:47 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15 ns

典型接通延迟时间:12 ns

供应商SISA96DN-T1-GE3
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SISA96DN-T1-GE3MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO207.39 Kbytes共7页SISA96DN-T1-GE3的PDF下载地址
SISA96DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO268.39 Kbytes共9页SISA96DN-T1-GE3的PDF下载地址
SISA96DN-T1-GE3连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):26.5W 类型:N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO206.26 Kbytes共7页SISA96DN-T1-GE3的PDF下载地址
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SISA96DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8$0.46000
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SISA96DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-81:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.9775
500:¥1.6272
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SISA96DN-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:8.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):26.5W 类型:N沟道1+:¥3.18
10+:¥2.35
30+:¥2.2
100+:¥2.05
500+:¥1.98
1000+:¥1.94