SIA483DJ-T1-GE3的供应商，SIA483DJ-T1-GE3规格参数，SIA483DJ-T1-GE3的PDF资料

SIA483DJ-T1-GE3 /MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

SIA483DJ-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.75 mm

长度:2.05 mm

系列:SIA

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:2.05 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:23 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:37 ns

SIA483DJ-T1-GE3

SIA483DJ-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市坤融电子有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市水星电子有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B	0755-89585609 13632880560	李	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市芯奕科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K3	15818509871	王志	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	SiA483DJ-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北南光大厦510	0755-82522195 13332931905	小柯	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SIA483DJ-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价

SIA483DJ-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SIA483DJ-T1-GE3	MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70	Vishay / Siliconix	233.60 Kbytes	共9页	无
SIA483DJ-T1-GE3	MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6	Vishay Siliconix	232.52 Kbytes	共9页	无
SIA483DJ-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：P沟道	VISHAY(威世)	232.34 Kbytes	共9页	无

SIA483DJ-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SIA483DJ-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III	1+:￥3.93 10+:￥3.29 25+:￥2.89 100+:￥2.47 250+:￥2.14 500+:￥1.8201 1000+:￥1.41+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.061+:￥1.29
Digi-Key 得捷电子	SIA483DJ-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III	1+:￥3.93 10+:￥3.29 25+:￥2.89 100+:￥2.47 250+:￥2.14 500+:￥1.8201 1000+:￥1.4
Mouser 贸泽电子	SIA483DJ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70	1:¥4.0002 10:¥3.0623 100:¥2.2713 500:¥1.8645 3,000:¥1.3108 6,000:查看
Mouser 贸泽电子	SIA483DJ-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III	1+:￥3.93 10+:￥3.29 25+:￥2.89 100+:￥2.47 250+:￥2.14 500+:￥1.8201 1000+:￥1.41+:￥3.0099 10+:￥2.24 100+:￥1.66 500+:￥1.4 1000+:￥1.24 3000+:￥1.1799 6000+:￥1.1799 9000+:￥1.09 24000+:￥1.06
立创商城	SIA483DJ-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：21mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W(Tc) 类型：P沟道	1+:￥2.3 10+:￥1.73 30+:￥1.63 100+:￥1.4744 500+:￥1.4356 1000+:￥1.4162

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