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SIA456DJ-T1-GE3 /MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70
SIA456DJ-T1-GE3的规格信息
SIA456DJ-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:2.6 A

Rds On-漏源导通电阻:1.38 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:5 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SIA456DJ-GE3

供应商SIA456DJ-T1-GE3
SIA456DJ-T1-GE3的供应商,可免费索样
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深圳市德州众泰科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
13360063783		廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
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13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
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18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
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13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SIA456DJ-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SiA456DJ-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳诚思涵科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市星宇佳科技有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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万三科技（深圳）有限公司SIA456DJ-T1-GE3深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园6090755-21006672
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SIA456DJ-T1-GE3MOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-70Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO207.10 Kbytes共8页SIA456DJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA456DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO206.55 Kbytes共8页SIA456DJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA456DJ-T1-GE3连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.38Ω @ 750mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO201.82 Kbytes共9页SIA456DJ-T1-GE3的PDF下载地址无
SIA456DJ-T1-GE3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SIA456DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V3000+:￥2.75
6000+:￥2.61
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100+:￥3.37
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24000+:￥2.51993000+:￥3.773000+:￥2.391+:￥3.0099
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ChipOneStop		SIA456DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V3000+:￥2.75
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SIA456DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V3000+:￥2.75
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元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SIA456DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V3000+:￥2.75
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1000+:￥2.91
3000+:￥2.77
6000+:￥2.6701
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA456DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V3000+:￥2.75
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SIA456DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 200V Vds 16V Vgs PowerPAK SC-701:¥7.2207
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
3,000:¥3.955
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SIA456DJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V3000+:￥2.75
6000+:￥2.61
15000+:￥2.51
30000+:￥2.43
75000+:￥2.361+:￥5.45
10+:￥4.38
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3000+:￥2.77
6000+:￥2.6701
9000+:￥2.61
24000+:￥2.51993000+:￥3.773000+:￥2.391+:￥3.00991+:￥2.58
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立创商城		SIA456DJ-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：1.4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.38Ω @ 750mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.5W 类型：N沟道1+:￥4.75
10+:￥4.63
30+:￥4.55
100+:￥4.46
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