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SIA477EDJ-T1-GE3 /MOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch
SIA477EDJ-T1-GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:12 V

Id-连续漏极电流:12 A

Rds On-漏源导通电阻:11.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:87 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:19 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:31 S

下降时间:45 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:28 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:74 ns

典型接通延迟时间:30 ns

供应商SIA477EDJ-T1-GE3
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SIA477EDJ-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch3000+:¥1.241+:¥3.0099
10+:¥2.24
100+:¥1.66
500+:¥1.4
1000+:¥1.24
3000+:¥1.1799
6000+:¥1.1799
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24000+:¥1.061+:¥1.29
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