SIA459EDJ-T1-GE3的供应商，SIA459EDJ-T1-GE3规格参数，SIA459EDJ-T1-GE3的PDF资料

SIA459EDJ-T1-GE3 /MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA459EDJ-T1-GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-SC70-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:9 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 50 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:15.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:SIA

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:15 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:20 ns

SIA459EDJ-T1-GE3

SIA459EDJ-T1-GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市坤融电子有限公司	SiA459EDJ-T1-GE3	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
集好芯城	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	SiA459EDJ-T1-GE3	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
深圳市全秀电子有限公司	SiA459EDJ-T1-GE3	东久创新科技园6栋12楼整层	13129599479 13129599479	刘群	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
深圳市华芯盛世科技有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市福田区上步工业区201栋530室	0755-23941632 13723794312	朱先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SIA459EDJ-T1-GE3	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

SIA459EDJ-T1-GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SIA459EDJ-T1-GE3	MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70	Vishay / Siliconix	220.18 Kbytes	共9页	无
SIA459EDJ-T1-GE3	MOSFET P-CH 20V 9A SC70	Vishay Siliconix	217.40 Kbytes	共9页	无
SIA459EDJ-T1-GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：15.6W(Tc) 类型：P沟道	VISHAY(威世)	219.88 Kbytes	共9页	无

SIA459EDJ-T1-GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Arrow(艾睿)	SIA459EDJ-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -20V .035ohm@-4.5V -9A P-Ch T-FET	3000+:￥1.22 6000+:￥1.14 15000+:￥1.06 30000+:￥1 75000+:￥0.9901 150000+:￥0.951+:￥2.96 10+:￥2.19 100+:￥1.63 500+:￥1.38 1000+:￥1.22 3000+:￥1.1601 6000+:￥1.1601 9000+:￥1.06 24000+:￥1.041+:￥1.27
Digi-Key 得捷电子	SIA459EDJ-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -20V .035ohm@-4.5V -9A P-Ch T-FET	3000+:￥1.22 6000+:￥1.14 15000+:￥1.06 30000+:￥1 75000+:￥0.9901 150000+:￥0.95
Mouser 贸泽电子	SIA459EDJ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70	1:¥4.0002 10:¥2.9945 100:¥2.2261 500:¥1.8306 3,000:¥1.2882 6,000:查看
Mouser 贸泽电子	SIA459EDJ-T1-GE3	Vishay	FET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品半导体 MOSFET -20V .035ohm@-4.5V -9A P-Ch T-FET	3000+:￥1.22 6000+:￥1.14 15000+:￥1.06 30000+:￥1 75000+:￥0.9901 150000+:￥0.951+:￥2.96 10+:￥2.19 100+:￥1.63 500+:￥1.38 1000+:￥1.22 3000+:￥1.1601 6000+:￥1.1601 9000+:￥1.06 24000+:￥1.04
立创商城	SIA459EDJ-T1-GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：15.6W(Tc) 类型：P沟道	1+:￥3.31 10+:￥3.23 30+:￥3.17 100+:￥2.49

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