系列：TrenchFET® Gen IV
FET类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：37.8A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：16nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1290pF @ 15V
Vgs（最大值）：+20V，-16V
功率耗散（最大值）：19W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：8.4 毫欧 @ 11A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：PowerPAK® SC-70-6
无铅情况/RoHs：否