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SI2305DS-T1-GE3 /MOSFET 8.0V 3.5A 1.25W 52mohm @ 4.5V
SI2305DS-T1-GE3的规格信息
SI2305DS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

汲极/源极击穿电压：8 V

闸/源击穿电压：+/- 8 V

漏极连续电流：3.5 A

导通电阻：52 mOhms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：SOT-23-3

封装：Reel

商标：Vishay / Siliconix

下降时间：25 ns

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：1.25 W

上升时间：25 ns

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：55 ns

零件号别名：SI2305DS-GE3

ROHS： 无铅

供应商SI2305DS-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI2305DS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI2305DS-T1-GE3-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2305DS-T1-GE3-VB深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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集好芯城SI2305DS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳和润天下电子科技有限公司SI2305DS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市大源实业科技有限公司SI2305DS-T1-GE3深圳市龙岗区坂田街道山海商业广场C座7070755-84862070
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深圳市诺普讯电子科技有限公司SI2305DS-T1-GE3嘉汇新城汇商中心281818928437827 13079621333
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