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SI2306BDS-T1-GE3 /Si2306BDS Series N-Channel 30 V 47 mOhm 0.75 W Surface Mount Mosfet - TO-236
SI2306BDS-T1-GE3的规格信息
SI2306BDS-T1-GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

系列：TrenchFET®

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.16A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.5nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：305pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：750mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：47 毫欧 @ 3.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：SOT-23-3

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：30V

连续漏极电流ID：3.16A

漏源极导通电阻RDS(ON)：47mOhms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商SI2306BDS-T1-GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2306BDS-T1-GE3航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
芯莱德电子（香港）有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2306BDS-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市科思奇电子科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”		张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳诚思涵科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
集好芯城SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2306BDS-T1-GE3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
SI2306BDS-T1-GE3及相关型号的PDF资料
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SI2306BDS-T1-GE3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO112.67 Kbytes共5页SI2306BDS-T1-GE3的PDF下载地址SI3424DV,SI4396DY,SI1304BDL,SI9936BDY_07,SI4618DY,SI1302DL_08,SI1304BDL_08,SI4914DY,SUP75N03-04,SI1426DH_08
SI2306BDS-T1-GE3的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
100+:￥1.96
500+:￥1.66
1000+:￥1.47
3000+:￥1.4
6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
24000+:￥1.253000+:￥1.223000+:￥0.79
9000+:￥0.761+:￥1.54
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI2306BDS-T1-GE3 N-CHANNEL 30-V (D-S)3,000 : $0.22
12,000 : $0.2
27,000 : $0.1834
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1279
14,999 : $0.122
29,999 : $0.1211
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SI2306BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R3,000 : $0.2
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
100+:￥1.96
500+:￥1.66
1000+:￥1.47
3000+:￥1.4
6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.13
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-315,000 : $0.1755
6,000 : $0.1885
3,000 : $0.2015
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET 30V 4A TO-236
RoHS : Compliant		1 : $4.65
10 : $3.9
25 : $3.41
100 : $2.92
250 : $2.53
500 : $2.14
1,000 : $1.65
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI2306BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi2306BDS Series N-Channel 30 V 47 mOhm 0.75 W Surface Mount Mosfet - TO-236
RoHS : Compliant		3,000 : $0.1156
9,000 : $0.1111
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
100+:￥1.96
500+:￥1.66
1000+:￥1.47
3000+:￥1.4
6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
24000+:￥1.253000+:￥1.223000+:￥0.79
9000+:￥0.76
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2306BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V1:¥4.6895
10:¥3.616
100:¥2.6781
500:¥2.2035
3,000:¥1.5481
6,000:查看
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
100+:￥1.96
500+:￥1.66
1000+:￥1.47
3000+:￥1.4
6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
24000+:￥1.25
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Verical		SI2306BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R$0.1786
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
100+:￥1.96
500+:￥1.66
1000+:￥1.47
3000+:￥1.4
6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
24000+:￥1.253000+:￥1.223000+:￥0.79
9000+:￥0.761+:￥1.541+:￥1.34
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立创商城		SI2306BDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道1+:￥1.7191
10+:￥1.3497
30+:￥1.2819
100+:￥1.214
500+:￥1.1839
1000+:￥1.169
SI2306BDS-T1-GE3的相关型号
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