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SI2306 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道
SI2306的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.5A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻47mΩ @ 3.5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）350mW

类型N沟道

供应商SI2306
SI2306的供应商,可免费索样
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深圳亿恒升电子有限公司SI2306BDS-T1-E3都会100A座24A0755-29992989，0755-23945396
18938644687，15013565437		苏先生，李小姐Email:1356901849@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SI2306深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司SI2306www.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司SI2306BDS-T1-E3深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480		林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司SI2306航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城SI2306BDS-T1-E3深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553		陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城SI2306深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
13360063783		杨先生Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司SI2306BDS-T1-E3深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司SI2306BDS-T1-E3龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市百域芯科技有限公司SI2306世纪汇都会轩45070755-82788062
18126442734		梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
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13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司SI2306BDS-T1-E3深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419		木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司SI2306BDS-T1深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司SI2306BDS-T1-GE3地址1：深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2：深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560		李Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市赛美科科技有限公司SI2306BDS-T1-E3广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SI2306BDS-T1-E3深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司SI2306BDS-T1-GE3华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
13603072128		陈Email:517368904@QQ.COM询价
深圳市斌腾达科技有限公司SI2306BDS-T1-E3深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113		赵小姐Email:zhujunbin163@163.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司SI2306BDS-T1-E3深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869		朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司SI2306BDS-T1-E3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
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SI2306的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		SI2306BDS-T1-E3Siliconix / VishayMOSFET; N-Ch.; 30 V(D-S); 0.047 Ohm @ 10 V(GS); 4 A; TO-236 (SOT-23)+3000:$0.29
+150000:$0.28
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
75000+:￥1.23
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9000+:￥0.8
24000+:￥0.76300+:￥1.41
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
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10+:￥4.73
25+:￥4.141+:￥0.9901
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
100+:￥1.96
500+:￥1.66
1000+:￥1.47
3000+:￥1.4
6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
24000+:￥1.253000+:￥1.223000+:￥0.79
9000+:￥0.761+:￥1.54
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2306BDS-T1-E3Vishay Semiconductors- Tape and Reel3,000 : $0.2042
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2306BDS-T1-E3Vishay SiliconixTRANS MOSFET N-CH 30V 3.16A 3PIN TO-236 - Tape and Reel3,000 : $0.1162
14,999 : $0.1106
29,999 : $0.1098
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsVISSI2306BDS-T1-GE3 N-CHANNEL 30-V (D-S)3,000 : $0.22
12,000 : $0.2
27,000 : $0.1834
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel3,000 : $0.1279
14,999 : $0.122
29,999 : $0.1211
元器件资料网-Bristol Electronics的LOGO
Bristol Electronics		SI2306BDS-T1-E3VISHAY-SILICONIX(RoHS)1,113 : $0.09
元器件资料网-Bristol Electronics的LOGO
Bristol Electronics		SI2306BDS-T1-E3Vishay Intertechnologies价格未公开
元器件资料网-Bristol Electronics的LOGO
Bristol Electronics		SI2306DSVishay Siliconix160 : $0.54
344 : $0.4725
816 : $0.4388
元器件资料网-Bristol Electronics的LOGO
Bristol Electronics		SI2306DS-T1Vishay Siliconix160 : $0.54
344 : $0.4725
816 : $0.4388
元器件资料网-Chip One Exchange的LOGO
Chip One Exchange		SI2306DS-T1Vishay Intertechnologies价格未公开
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SI2306BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R
RoHS : Compliant		5 : $0.629
100 : $0.35
1,000 : $0.229
元器件资料网-Chip1Stop的LOGO
Chip1Stop		SI2306BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R3,000 : $0.2
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
75000+:￥1.23
150000+:￥1.17991+:￥3.65
10+:￥2.73
100+:￥2.04
500+:￥1.72
1000+:￥1.5199
3000+:￥1.46
6000+:￥1.46
9000+:￥1.34
24000+:￥1.33000+:￥0.77
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
100+:￥1.96
500+:￥1.66
1000+:￥1.47
3000+:￥1.4
6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
24000+:￥1.253000+:￥1.22
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
75000+:￥1.23
150000+:￥1.1799
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2306BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-315,000 : $0.18225
6,000 : $0.19575
3,000 : $0.20925
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2306BDS-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3$0.65000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.13
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-315,000 : $0.1755
6,000 : $0.1885
3,000 : $0.2015
元器件资料网-Element_sh的LOGO
Element_sh		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
75000+:￥1.23
150000+:￥1.17991+:￥3.65
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100+:￥2.04
500+:￥1.72
1000+:￥1.5199
3000+:￥1.46
6000+:￥1.46
9000+:￥1.34
24000+:￥1.33000+:￥0.773000+:￥0.87
9000+:￥0.8
24000+:￥0.76300+:￥1.411+:￥5.62
10+:￥4.73
25+:￥4.14
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2306BDS-T1-E3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET 30V 3.16A TO-236
RoHS : Compliant		1 : $4.8
10 : $4.04
25 : $3.54
100 : $3.03
250 : $2.63
500 : $2.23
1,000 : $1.72
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		SI2306BDS-T1-GE3Vishay SiliconixN CHANNEL MOSFET 30V 4A TO-236
RoHS : Compliant		1 : $4.65
10 : $3.9
25 : $3.41
100 : $2.92
250 : $2.53
500 : $2.14
1,000 : $1.65
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI2306BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesSingle N-Channel 30 V 0.047 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
RoHS : Compliant		3,000 : $0.1063
9,000 : $0.1022
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics		SI2306BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesSi2306BDS Series N-Channel 30 V 47 mOhm 0.75 W Surface Mount Mosfet - TO-236
RoHS : Compliant		3,000 : $0.1156
9,000 : $0.1111
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
30000+:￥1.26
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150000+:￥1.17991+:￥3.65
10+:￥2.73
100+:￥2.04
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1000+:￥1.5199
3000+:￥1.46
6000+:￥1.46
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9000+:￥0.8
24000+:￥0.76
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Future(富昌)		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
10+:￥2.64
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1000+:￥1.47
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6000+:￥1.4
9000+:￥1.29
24000+:￥1.253000+:￥1.223000+:￥0.79
9000+:￥0.76
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Mouser 贸泽电子		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
6000+:￥1.42
15000+:￥1.32
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75000+:￥1.23
150000+:￥1.17991+:￥3.65
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Mouser 贸泽电子		SI2306BDS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.0A 0.75W1:¥4.9155
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7289
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Mouser 贸泽电子		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
15000+:￥1.28
30000+:￥1.21
75000+:￥1.1799
150000+:￥1.131+:￥3.54
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1000+:￥1.47
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6000+:￥1.4
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Mouser 贸泽电子		SI2306BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V1:¥4.6895
10:¥3.616
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500:¥2.2035
3,000:¥1.5481
6,000:查看
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Mouser 贸泽电子		SI2306-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-23 package1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
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RS Components		SI2306BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 30V 3.16A TO236价格未公开
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Verical		SI2306BDS-T1-E3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R$0.1416
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Verical		SI2306BDS-T1-E3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 0.75W3000+:￥1.53
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10+:￥4.73
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Verical		SI2306BDS-T1-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V3000+:￥1.47
6000+:￥1.37
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75000+:￥1.1799
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Verical		SI2306BDS-T1-GE3Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R$0.1786
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立创商城		SI2306PUOLOP(迪浦)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：N沟道10+:￥0.246275
100+:￥0.181301
300+:￥0.169367
1000+:￥0.157433
5000+:￥0.152129
10000+:￥0.149508
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立创商城		SI2306Hottech(合科泰)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.16A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道10+:￥0.25598
100+:￥0.192505
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1000+:￥0.169188
5000+:￥0.164007
10000+:￥0.161446
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立创商城		SI2306MDDMOS(场效应管)20+:￥0.201185
200+:￥0.151205
600+:￥0.142025
2000+:￥0.132845
10000+:￥0.128765
20000+:￥0.126749
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立创商城		SI2306TWGMC(台湾迪嘉)MOS(场效应管)20+:￥0.19012
200+:￥0.14014
600+:￥0.13096
2000+:￥0.12178
10000+:￥0.1177
20000+:￥0.115684
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立创商城		SI2306KEXIN(科信)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：57mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道10+:￥0.263837
100+:￥0.191366
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1000+:￥0.164744
5000+:￥0.158828
10000+:￥0.155904
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立创商城		SI2306AUMW(友台半导体)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：57mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道10+:￥0.282033
100+:￥0.204564
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1000+:￥0.176106
5000+:￥0.169782
10000+:￥0.166657
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立创商城		SI2306BDS-T1-E3VISHAY(威世)预售晶体管1+:￥5.25
200+:￥2.03
500+:￥1.96
1000+:￥1.93
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立创商城		SI2306BDS-T1-GE3VISHAY(威世)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：750mW 类型：N沟道1+:￥1.7191
10+:￥1.3497
30+:￥1.2819
100+:￥1.214
500+:￥1.1839
1000+:￥1.169
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立创商城		SI2306DS-T1VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)5+:￥0.432659
50+:￥0.319704
150+:￥0.298957
500+:￥0.27821
2500+:￥0.268989
5000+:￥0.264433
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