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SI2306DS-T1 / MOSFET 30V 3.5A 1.25
SI2306DS-T1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Vishay / Siliconix

Id-连续漏极电流:3.5 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:57 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:7.5 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:7.5 ns

工厂包装数量:3000

商标名:TrenchFET

典型关闭延迟时间:17 ns

典型接通延迟时间:9 ns

供应商SI2306DS-T1
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现代芯城(深圳)科技有限公司Si2306DS-T1-E3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司SI2306DS-T1-GE3-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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SI2306DS-T1N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO57.93 Kbytes共4页SI2306DS-T1的PDF下载地址SI4830DY,SI7356DP,SUB75N03-07,SI5402BDC,SI7804DN,SUD50N03-09P,SI7894ADP,SI4894BDY,SI6954DQ,SUP70N03-09P
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