图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)0.65A
栅源极阈值电压1.0V @ 250uA
漏源导通电阻520mΩ @ 0.65A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)0.15W
类型P沟道