HSBE2730
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.47W 类型:双N沟道
HSBE2730的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻17mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.47W
类型双N沟道
HSBE2730
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HSBE2730 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:17mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.47W 类型:双N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 654.14 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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