HSBG2024
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 0.55A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.7W 类型:N沟道
HSBG2024的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.4A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻230mΩ @ 0.55A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)0.7W
类型N沟道
HSBG2024
HSBG2024及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
HSBG2024 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 0.55A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.7W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 1.15 Mbytes | 共8页 |  | 无 |
HSBG2024的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | HSBG2024 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:230mΩ @ 0.55A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):0.7W 类型:N沟道 | 5+:¥0.426556 50+:¥0.311602 150+:¥0.290488 500+:¥0.269374 2500+:¥0.25999 5000+:¥0.255353
|