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HSBE2738 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.47W 类型:双N沟道(共漏)
HSBE2738的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻9.5mΩ @ 3A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.47W

类型双N沟道(共漏)

供应商HSBE2738
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HSBE2738连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.47W 类型:双N沟道(共漏)HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO837.94 Kbytes共5页HSBE2738的PDF下载地址
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HSBE2738HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.47W 类型:双N沟道(共漏)1+:¥0.9663
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