制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SM-8

通道数量:4 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:1.8 A, 1.5 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms, 425 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:3.2 nC, 5.1 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

配置:Quad

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.6 mm

长度:6.7 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:ZXMHC6A

晶体管类型:2 N-Channel, 2 P-Channel

类型:MOSFET

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:2.3 S, 1.8 S

下降时间:2 ns, 5.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1.4 ns, 2.3 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:4.9 ns, 13 ns

典型接通延迟时间:1.8 ns, 1.6 ns

单位重量:74 mg