Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：1

FET 型 ：2 N-Channel (Dual)

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：6.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：-

VGS（TH）（最大）@ Id：-

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：-

功率 - 最大：-

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：8-SO

包装材料 ：

FET Feature：Standard

Mounting Type：Surface Mount

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：6.5A

Supplier Device Package：8-SO

Other Names：ZXMD65N03N8DKR

FET Type：2 N-Channel (Dual)

Standard Package：1

Drain to Source Voltage (Vdss)：30V

Package/Case：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)