Rohs：Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知：MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010
标准包装：3,000
FET 型
：N and P-Channel
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.9A, 2.1A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：3.9nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：190pF @ 25V
功率 - 最大：1.5W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-MLP
供应商器件封装：8-MLP (3x2)
包装材料
：Tape & Reel (TR)
最大门源电压：±20
引脚数：8
欧盟RoHS指令：Compliant
通道模式：Enhancement
标准包装名称：DFN
包装高度：1(Max)
安装：Surface Mount
渠道类型：N|P
封装：Tape and Reel
最大漏源电阻：120@10V@N Channel|210@10V@P Channel
最大漏源电压：30
每个芯片的元件数：2
包装宽度：2
供应商封装形式：MLP832
包装长度：3
PCB：8
最大连续漏极电流：3.7@N Channel|2.7@P Channel
最大功率耗散：2450
单位包：3000
最小起订量：3000
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.9A, 2.1A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA
供应商设备封装：8-MLP (3x2)
其他名称：ZXMC3AM832TATR
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：N and P-Channel
功率 - 最大：1.5W
标准包装：3,000
漏极至源极电压（Vdss）：30V
输入电容（Ciss ） @ VDS：190pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS：3.9nC @ 10V
封装/外壳：8-MLP
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：3000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
配置：Dual Dual Drain
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：+ 3.7 A, - 2.7 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：180 mOhms
功率耗散：2.45 W
封装/外壳：MLP-8
典型关闭延迟时间：6.6 ns, 11.3 ns
上升时间：2.3 ns, 2.8 ns
漏源击穿电压：+/- 30 V