包装：8SO

渠道类型：N|P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：30 V

最大连续漏极电流：7.3@N Channel|5.3@P Channel A

RDS -于：24@10V@N Channel|45@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：2.9@N Channel|1.9@P Channel ns

典型上升时间：3.3@N Channel|3@P Channel ns

典型关闭延迟时间：16@N Channel|30@P Channel ns

典型下降时间：8@N Channel|21@P Channel ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±20

包装宽度：4(Max)

PCB：8

最大功率耗散：2100

最大漏源电压：30

欧盟RoHS指令：Compliant

最大漏源电阻：24@10V@N Channel|45@10V@P Channel

每个芯片的元件数：2

最低工作温度：-55

供应商封装形式：SO

标准包装名称：SOIC

最高工作温度：150

包装长度：5(Max)

引脚数：8

包装高度：1.5(Max)

最大连续漏极电流：7.3@N Channel|5.3@P Channel

封装：Tape and Reel

铅形状：Gull-wing

P（ TOT ）：1.25W

匹配代码：ZXMC3F31DN8TA

LogicLevel：YES

单位包：1000

标准的提前期：22 weeks

最小起订量：1000

Q（克）：12.9nC

LLRDS （上）：0.039Ohm

汽车：NO

LLRDS （上）在：4.5V

我（D ）：7.3A

V（ DS ）：30V

技术：TrenchFET

的RDS（on ） at10V：0.024Ohm

无铅Defin：RoHS-conform

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：6.8A (Ta), 4.9A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250µA

供应商设备封装：8-SO

其他名称：ZXMC3F31DN8TADI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：24 mOhm @ 7A, 10V

FET型：N and P-Channel Complementary

功率 - 最大：1.8W

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：608pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：12.9nC @ 10V

封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

RoHS：RoHS Compliant

连续漏极电流：7.3/5.3 A

栅源电压（最大值）：�20 V

功率耗散：2.1 W

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：SO

极性：N/P

类型：Power MOSFET

元件数：2

工作温度分类：Military