Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：500

FET 型 ：N and P-Channel

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：40V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4A, 3.6A

Rds（最大）@ ID，VGS：50 mOhm @ 4.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：17nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：770pF @ 40V

功率 - 最大：1.25W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：8-SOP

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：8SOIC

渠道类型：N|P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：40 V

最大连续漏极电流：5.2@N Channel|4.7@P Channel A

RDS -于：50@10V@N Channel|60@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：3.3@N Channel|3.7@P Channel ns

典型上升时间：4.7@N Channel|5.5@P Channel ns

典型关闭延迟时间：29@N Channel|33@P Channel ns

典型下降时间：14@N Channel|18@P Channel ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±20

包装宽度：4(Max)

PCB：8

最大功率耗散：2100

最大漏源电压：40

欧盟RoHS指令：Compliant

最大漏源电阻：50@10V@N Channel|60@10V@P Channel

每个芯片的元件数：2

最低工作温度：-55

供应商封装形式：SOIC

标准包装名称：SOIC

最高工作温度：150

包装长度：5(Max)

引脚数：8

包装高度：1.5(Max)

最大连续漏极电流：5.2@N Channel|4.7@P Channel

封装：Tape and Reel

铅形状：Gull-wing

P（ TOT ）：1.25W

匹配代码：ZXMC4A16DN8TA

LogicLevel：YES

单位包：1000

标准的提前期：16 weeks

最小起订量：1000

Q（克）：11nC

LLRDS （上）：0.075Ohm

汽车：NO

LLRDS （上）在：2.5V

我（D ）：5.2A

V（ DS ）：40V

技术：TrenchFET

的RDS（on ） at10V：0.050Ohm

无铅Defin：RoHS-conform

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：4A, 3.6A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250mA

供应商设备封装：8-SOP

其他名称：ZXMC4A16DN8TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：50 mOhm @ 4.5A, 10V

FET型：N and P-Channel

功率 - 最大：1.25W

漏极至源极电压（Vdss）：40V

输入电容（Ciss ） @ VDS：770pF @ 40V

闸电荷（Qg ） @ VGS：17nC @ 10V

封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：500

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N and P-Channel

配置：Dual Dual Drain

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：5.2 A, - 4.7 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：50 mOhms