类别：Power MOSFET

通道模式：Enhancement

渠道类型：N, P

配置：Quad

外形尺寸：5 x 4 x 1.5mm

身高：1.5mm

长度：5mm

最大连续漏极电流：-2.06 (P-Channel) A, 2.72 (N-Channel) A

最大漏源电阻：0.18 (N-Channel) Ω, 0.33 (P-Channel) Ω

最大漏源电压：30 (N-Channel) V, -30 (P-Channel) V

最大门源电压：±20 V

最高工作温度：+150 °C

最大功率耗散：1.36 W

最低工作温度：-55 °C

安装类型：Surface Mount

每个芯片的元件数：4

包装类型：SO

引脚数：8

典型栅极电荷@ VGS：3.9 nC V @ 10 (N-Channel), 5.2 nC V @ -10 (P-Channel)

典型输入电容@ VDS：190 pF @ 25 V (N-Channel), 204 pF @ -15 V (P-Channel)

典型关闭延迟时间：12.1 (P-Channel) ns, 6.6 (N-Channel) ns

典型导通延迟时间：1.2 (P-Channel) ns, 1.7 (N-Channel) ns

宽度：4mm