Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：2,500

FET 型 ：N and P-Channel

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：40V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4A, 3.6A

Rds（最大）@ ID，VGS：50 mOhm @ 4.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：17nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：770pF @ 40V

功率 - 最大：1.25W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：8-SOP

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

FET Feature：Logic Level Gate

Packaging：Tape & Reel (TR)

Mounting Type：Surface Mount

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：4A, 3.6A

Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250mA

Supplier Device Package：8-SOP

Rds On (Max) @ Id, Vgs：50 mOhm @ 4.5A, 10V

FET Type：N and P-Channel

Power - Max：1.25W

Standard Package：2,500

Drain to Source Voltage (Vdss)：40V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：770pF @ 40V

Gate Charge (Qg) @ Vgs：17nC @ 10V

Package/Case：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)