标准包装：500

FET 型 ：N and P-Channel

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：5.8A, 4.8A

Rds（最大）@ ID，VGS：25 mOhm @ 5.8A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：36nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：1800pF @ 25V

功率 - 最大：1.25W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 )

供应商器件封装：8-SOP

包装材料 ：Tape & Reel (TR);;其他的名称；

包装：8SOIC

渠道类型：N|P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：30 V

最大连续漏极电流：7.6@N Channel|6.3@P Channel A

RDS -于：25@10V@N Channel|35@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：5.5 ns

典型上升时间：8.7@N Channel|9.5@P Channel ns

典型关闭延迟时间：33 ns

典型下降时间：8.5@N Channel|38@P Channel ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

单位包：500

最小起订量：500

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：5.8A, 4.8A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

供应商设备封装：8-SOP

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 5.8A, 10V

FET型：N and P-Channel

功率 - 最大：1.25W

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：1800pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：36nC @ 10V

封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

其他名称：ZXMC3A18DN8CT

工厂包装数量：500

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N and P-Channel

配置：Dual Dual Drain

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：7.6 A, - 6.3 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：25 mOhms

功率耗散：2.1 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：SOIC-8

上升时间：8.7 ns, 9.5 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：30 V