包装：8SOIC

渠道类型：N|P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：60 V

最大连续漏极电流：4.7@N Channel|3.5@P Channel A

RDS -于：55@10V@N Channel|85@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：3.5 ns

典型上升时间：4.1 ns

典型关闭延迟时间：26.2@N Channel|35@P Channel ns

典型下降时间：10.6@N Channel|10@P Channel ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

RoHS：RoHS Compliant

封装：Reel

单位包：2500

最小起订量：2500

FET特点：Logic Level Gate

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.6A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

供应商设备封装：8-SO

其他名称：ZXMC4559DN8TCDI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：55 mOhm @ 4.5A, 10V

FET型：N and P-Channel Complementary

功率 - 最大：1.8W

漏极至源极电压（Vdss）：60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：1063pF @ 30V

闸电荷（Qg ） @ VGS：20.4nC @ 10V

封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

晶体管极性：:N and P Channel

Continuous Drain Current Id：:4.7A

Drain Source Voltage Vds：:60V

On Resistance Rds(on)：:0.055ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

功耗：:1.25W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:150°C

Transistor Case Style：:SOIC

No. of Pins：:8

MSL：:MSL 1 - Unlimited

SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)

Continuous Drain Current Id, N Channel：:4.7A

Continuous Drain Current Id, P Channel：:-3.9A

Drain Source Voltage Vds, N Channel：:60V

Drain Source Voltage Vds, P Channel：:-60V

Module Configuration：:Dual

On Resistance Rds(on), N Channel：:0.055ohm

On Resistance Rds(on), P Channel：:0.105ohm

工作温度范围：:-55°C to +150°C

Weight (kg)：0.000074

Tariff No.：85412900

associated：D00343RE932-01120-5.ICK SMD A 5 SA3209885-MIR2117SPBF