类别：Power MOSFET
通道模式：Enhancement
渠道类型：N, P
配置：Dual, Dual Drain
外形尺寸：3.1 x 3.1 x 0.95mm
身高：0.95mm
长度：3.1mm
最大连续漏极电流：2 (P-Channel) A, 2.3 (N-Channel) A
最大漏源电阻：0.135 (N-Channel) Ω, 0.185 (P-Channel) Ω
最大漏源电压：30 V
最大门源电压：±20 V
最高工作温度：+150 °C
最大功率耗散：1.25 W
最低工作温度：-55 °C
安装类型：Surface Mount
每个芯片的元件数：2
包装类型：MSOP
引脚数：8
典型栅极电荷@ VGS：7 nC @ 10 V (P-Channel), 8 nC @ 10 V (N-Channel)
典型输入电容@ VDS：270 pF @ 25 V (P-Channel), 290 pF @ 25 V (N-Channel)
典型关闭延迟时间：13.1 (P-Channel) ns, 9.6 (N-Channel) ns
典型导通延迟时间：2.5 (N-Channel) ns, 2.6 (P-Channel) ns
宽度：3.1mm