Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：1,000

FET 型 ：2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：1A, 800mA

Rds（最大）@ ID，VGS：700 mOhm @ 1.5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：2.9nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：138pF @ 60V

功率 - 最大：1.3W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：SOT-223-8

供应商器件封装：SM8

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

包装：8SM8

渠道类型：N|P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：100 V

最大连续漏极电流：1.1@N Channel|0.9@P Channel A

RDS -于：700@10V@N Channel|1000@10V@P Channel mOhm

最大门源电压：±20 V

典型导通延迟时间：1.8@N Channel|1.6@P Channel ns

典型上升时间：1.5@N Channel|2.1@P Channel ns

典型关闭延迟时间：4.1@N Channel|5.9@P Channel ns

典型下降时间：2.1@N Channel|3.3@P Channel ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

最大门源电压：±20

欧盟RoHS指令：Compliant

最高工作温度：150

最低工作温度：-55

包装高度：1.6(Max)

最大功率耗散：1300

封装：Tape and Reel

最大漏源电阻：700@10V@N Channel|1000@10V@P Channel

最大漏源电压：100

每个芯片的元件数：4

包装宽度：3.7(Max)

供应商封装形式：SM8

包装长度：6.7(Max)

PCB：8

最大连续漏极电流：1.1@N Channel|0.9@P Channel

引脚数：8

P（ TOT ）：1.3W

匹配代码：ZXMHC10A07T8TA

单位包：1000

标准的提前期：16 weeks

最小起订量：1000

无铅Defin：RoHS-conform

汽车：NO

我（D ）：0.9A

V（ DS ）：100V

技术：H-Bridge

的RDS（on ） at10V：1.700Ohm

FET特点：Standard

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1A, 800mA

的Vgs（th ） （最大）@ Id：4V @ 250µA

供应商设备封装：SM8

其他名称：ZXMHC10A07T8TR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：700 mOhm @ 1.5A, 10V

FET型：2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

功率 - 最大：1.3W

漏极至源极电压（Vdss）：100V

输入电容（Ciss ） @ VDS：138pF @ 60V

闸电荷（Qg ） @ VGS：2.9nC @ 10V

封装/外壳：SOT-223-8

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：1000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N and P-Channel

配置：Quad Dual Drain Dual Source

连续漏极电流：1.1 A, - 0.9 A

正向跨导 - 闵：1.6 S, 1.2 S

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：700 mOhms at N Channel, 1000 mOhms at P Channel

功率耗散：1.3 W

最低工作温度：- 55 C

封装/外壳：SM-8