Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,500
FET 型
：N and P-Channel
FET特点：Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）：30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：4.9A, 4.1A
Rds（最大）@ ID，VGS：35 mOhm @ 9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：17.5nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：796pF @ 25V
功率 - 最大：1.25W
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装：8-SOP
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：8SOIC
渠道类型：N|P
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：30 V
最大连续漏极电流：6.4@N Channel|5.5@P Channel A
RDS -于：35@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：3 ns
典型上升时间：6.4 ns
典型关闭延迟时间：21.6 ns
典型下降时间：9.4 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
最大门源电压：±20
包装宽度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2100
最大漏源电压：30
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：35@10V
每个芯片的元件数：2
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOIC
标准包装名称：SOIC
最高工作温度：150
包装长度：5(Max)
引脚数：8
包装高度：1.5(Max)
最大连续漏极电流：6.4@N Channel|5.5@P Channel
封装：Tape and Reel
铅形状：Gull-wing
单位包：2500
最小起订量：2500
FET特点：Logic Level Gate
安装类型：Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：4.9A, 4.1A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA
供应商设备封装：8-SOP
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：35 mOhm @ 9A, 10V
FET型：N and P-Channel
功率 - 最大：1.25W
漏极至源极电压（Vdss）：30V
输入电容（Ciss ） @ VDS：796pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS：17.5nC @ 10V
封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
其他名称：ZXMC3A16DN8TCCT
工厂包装数量：2500
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N and P-Channel
配置：Dual Dual Drain
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：+ 6.4, - 5.4 A
安装风格：SMD/SMT
RDS（ON）：35 mOhms
功率耗散：2.1 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：SOIC-8
上升时间：6.4 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：+/- 30 V
RoHS：RoHS Compliant
下降时间：9.4 ns
栅源电压（最大值）：�20 V
漏源导通电阻：0.035 ohm
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：SOIC
极性：N/P
类型：Power MOSFET
元件数：2
工作温度分类：Military