Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装：1

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：Standard

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：9A

Rds（最大）@ ID，VGS：15 mOhm @ 7.3A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：-

输入电容（Ciss）@ Vds的：-

功率 - 最大：2.5W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件封装：8-SO

包装材料 ：

FET特点：Standard

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：9A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供应商设备封装：8-SO

其他名称：ZXM66N03N8DKR

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：15 mOhm @ 7.3A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2.5W

标准包装：1

漏极至源极电压（Vdss）：30V