Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：1,000
FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点：Standard
漏极至源极电压（VDSS）：35V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C：3.3A
Rds（最大）@ ID，VGS：75 mOhm @ 2.4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS：46nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的：825pF @ 25V
功率 - 最大：1.5W
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
包装材料
：Bulk
包装：3TO-220
渠道类型：P
通道模式：Enhancement
最大漏源电压：35 V
最大连续漏极电流：12 A
RDS -于：75@10V mOhm
最大门源电压：±20 V
典型导通延迟时间：4.4 ns
典型上升时间：6.2 ns
典型关闭延迟时间：40 ns
典型下降时间：29.2 ns
工作温度：-55 to 150 °C
安装：Through Hole
标准包装：Rail / Tube
最大门源电压：±20
包装宽度：10.66
PCB：3
最大功率耗散：20000
最大漏源电压：35
欧盟RoHS指令：Compliant
最大漏源电阻：75@10V
每个芯片的元件数：1
最低工作温度：-55
供应商封装形式：TO-220
标准包装名称：TO-220
最高工作温度：150
包装长度：16.51
引脚数：3
包装高度：4.82
最大连续漏极电流：12
封装：Tape and Reel
标签：Tab
FET特点：Standard
安装类型：Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：3.3A (Ta), 12A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA
供应商设备封装：TO-220-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS：75 mOhm @ 2.4A, 10V
FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.5W
漏极至源极电压（Vdss）：35V
输入电容（Ciss ） @ VDS：825pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS：46nC @ 10V
封装/外壳：TO-220-3
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：1000
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
配置：Single
源极击穿电压：+/- 20 V
连续漏极电流：- 12 A
安装风格：Through Hole
RDS（ON）：105 mOhms
功率耗散：20 W
最低工作温度：- 55 C
封装/外壳：TO-220
上升时间：6.2 ns
最高工作温度：+ 150 C
漏源击穿电压：- 35 V
RoHS：RoHS Compliant
下降时间：29.2 ns
栅源电压（最大值）：�20 V
漏源导通电阻：0.075 ohm
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：TO-220
极性：P
类型：Power MOSFET
元件数：1
工作温度分类：Military