Rohs：Lead free / RoHS Compliant

标准包装：1,000

FET 型 ：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：2.9A

Rds（最大）@ ID，VGS：150 mOhm @ 1.6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：10.2nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：330pF @ 25V

功率 - 最大：2W

安装类型 ：Surface Mount

包/盒 ：TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223

包装材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：2.9A (Ta), 4A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：TO-261-4, TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：150 mOhm @ 1.6A, 10V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：2W

标准包装：1,000

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：330pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：10.2nC @ 10V

工厂包装数量：1000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

配置：Single Dual Drain

源极击穿电压：+/- 20 V

连续漏极电流：- 4 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：230 mOhms

功率耗散：3.9 W

最低工作温度：- 55 C

典型关闭延迟时间：13.9 ns

上升时间：6.4 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 30 V

RoHS：In Transition

下降时间：10.3 ns