Status：Active

包装：6SOT-23

渠道类型：P

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：20 V

最大连续漏极电流：1.5 A

RDS -于：230@4.5V mOhm

最大门源电压：±12 V

典型导通延迟时间：2.8 ns

典型上升时间：6.4 ns

典型关闭延迟时间：13.9 ns

典型下降时间：10.3 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Surface Mount

标准包装：Tape & Reel

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：1.5A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250µA

封装/外壳：SOT-23-6

供应商设备封装：SOT-23-6

其他名称：ZXM62P03E6TCDI

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：230 mOhm @ 800mA, 4.5V

FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：625mW

漏极至源极电压（Vdss）：30V

输入电容（Ciss ） @ VDS：330pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：10.2nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：10000

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P-Channel

配置：Single Quad Drain

源极击穿电压：+/- 12 V

连续漏极电流：1.5 A

安装风格：SMD/SMT

RDS（ON）：230 mOhms

功率耗散：625 mW

最低工作温度：- 55 C

上升时间：6.4 ns

最高工作温度：+ 150 C

漏源击穿电压：- 30 V

RoHS：RoHS Compliant

下降时间：6.4 ns