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VBQG7313 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：-2.4V @ -250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W 类型：N沟道

VBQG7313的规格信息

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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）12A

栅源极阈值电压-2.4V @ -250uA

漏源导通电阻13mΩ @ 12A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）19W

类型N沟道

VBQG7313

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供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VBQG7313	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	VBQG7313	上步工业区501栋1109-1110	0755-83245050 18923762408 “13538131418”	张小姐	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VBQG7313	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	VBQG7313	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市微碧半导体有限公司	VBQG7313	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	VBQG7313	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

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型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VBQG7313	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		768.95 Kbytes	共9页		无

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立创商城	VBQG7313	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：-2.4V @ -250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：19W 类型：N沟道	1+:￥2.35 10+:￥1.74 30+:￥1.62 100+:￥1.51 500+:￥1.46 1000+:￥1.44

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