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VBQA1302 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 29A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道
VBQA1302的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻2.5mΩ @ 29A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)250W

类型N沟道

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VBQA1302VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 29A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道1+:¥4.09
10+:¥3.01
30+:¥2.82
100+:¥2.62
500+:¥2.53
1000+:¥2.49
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VBQA1302AVBsemi(台湾微碧)预售晶体管1+:¥2.6556
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