VBQA1302
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 29A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道
VBQA1302的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻2.5mΩ @ 29A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)250W
类型N沟道
VBQA1302
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VBQA1302 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 702.66 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
VBQA1302的全球分销商及价格
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 立创商城 | VBQA1302 | VBsemi(台湾微碧) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 29A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):250W 类型:N沟道 | 1+:¥4.09 10+:¥3.01 30+:¥2.82 100+:¥2.62 500+:¥2.53 1000+:¥2.49
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 立创商城 | VBQA1302A | VBsemi(台湾微碧) | 预售晶体管 | 1+:¥2.6556 200+:¥1.0277 500+:¥0.9916 1000+:¥0.9738
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